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2026年手机旗舰芯片(麒麟9050 Pro)相当于台积电4纳米工艺水平

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华为年度旗舰Mate90系列,将确认搭载全新麒麟9050 Pro芯片,还将首发颠覆性逻辑折叠自研黑科技,核心性能将迎来明显升级,搭配鸿蒙系统有望提升整机流畅度、多任务处理能力以及大屏场景下的综合体验。

有关这个2026年手机旗舰芯片(麒麟9050 Pro)参数出来了:

晶体管密度238 MTr/mm²较9030 Pro提升+53.5%,相当于台积电4纳米

P核能效(性能功耗比)提升+41%

最高主频(Max Clock)提升+12.7% 3.1GHz 2031年突破5.0GHz     

这个238的晶体管密度是个什么水平?

N5(5nm):171

N4(4nm):178–182

N3(初代):274

N3E(量产主力):277

N3P(性能版):285

N2(2nm GAA):310–320

也就是说今年麒麟芯片的晶体管密度水平,是超过台积电N4,在往初代N3走的水平,当然,芯片性能不完全取决于晶体管密度,其实238这个数基本和三星的3nm GAA是一个水平。

并且从演讲现场展示的官方PPT来看,麒麟2026芯片作为逻辑折叠技术的首次成功实施案例,交出了一份令人震撼的成绩单。