作为业界首款量产的5nm芯片，苹果A14以及iPhone 12的到来再次刷新手机性能新高度。不过近日ICmasters却通过研究发现，苹果A14芯片的晶体管密度跟此前台积电宣称值相去甚远，存在一定缩水的问题，矛头指向台积电5nm工艺或存在虚标。

苹果A14芯片疑似缩水 台积电5nm工艺或存虚标目前的5nm不是真正的物理意义上的5nm...哦，这样啊，那就买11或者等13吧。

半导体逆向工程与IP服务机构ICmasters近日将一颗苹果A14放在了显微镜下，并结合官方数据对比来进行比对分析，苹果A14采用台积电5nm工艺制造，集成多达118亿个晶体管，内核面积仅为88平方毫米，密度为1.34亿个晶体管/平方毫米。

苹果A14芯片疑似缩水 台积电5nm工艺或存虚标

根据台积电的宣传，5nm工艺可以做到1.713亿个晶体管/平方毫米的密度，苹果A14距离理论值差了不少，只发挥出来不到80％。不同芯片有着不同的逻辑电路、缓存布局和设计，但是就实际值与理论值的对比看，这次确实低了很多，前几代可是全部超过90％。

当然，所谓缩水或者虚标都是网友的调侃，但不得不说未来5nm工艺仍旧存在提升的空间。基本上每个等级的制程工艺都会至少存在两次大的换代，估计到了iPhone 13时候搭载的A15芯片，届时的5nm工艺将会运用的更加炉火纯青，也是5nm真正走向成熟的阶段。