在这个核心配置上，真我GT2大师探索版搭载了全新一代骁龙8+旗舰芯片处理器，以及首发了新一代X7独显芯片和LPDDR5X。如果是今年上半年的明星芯片是天玑9000，那么今年下半年的明星芯片自然就是刚刚上线不久的骁龙8+Gen1。对比前代芯片，骁龙8+Gen1的各项规格其实相差不大，除了超大核CortexX2和小核CortexA510的频率均提高了0.2Ghz，还是采用了全新的台积电4nm工艺制程打造这点更令人感兴趣。

具体来看，「骁龙8+」采用了台积电4nm工艺，3.2GHzCortex-X2超大核×1，2.75GHzA710大核×3，2.0GHzA510小核×4，CPU性能提升10%，GPU为Adreno730，但频率提升了10%，CPU/GPU功耗降低30%，Soc整体功耗降低15%，第七代高通AI引擎能效提升20%。

这枚X7独显芯片，相较于上一代，实现了算力提升，最高4倍插帧技术，同时延迟也大幅降低，还支持游戏超分功能。值得一提的是，这枚“独显”也让真我GT2大师探索版支持了DC调光。

LPDDR5X对比LPDDR5，综合功耗则降低了20%（非整机功耗）。

此外，真我GT2大师探索版还搭载了100W秒充、5000mAh超大电池，散热部分则首次搭载了双VC冰芯散热Max系统，相比前代产品，VC液冷散热面积提升154%，达到了4811mm²，堪比专业游戏手机，散热总面积高达37904mm²，对比上一代提升206%，堪称真我有史以来最大散热面积。

从配置来看，真我GT2大师探索版基本算是目前的安卓性能天花板了，下面我们通过跑分，来看看真我GT2大师探索版的理论性能水准。

如上图所示，真我GT2大师探索版安兔兔综合成绩为1053938分，作为对比，上一代骁龙8，部分机型在适当条件下，能够跑到100万分出头的成绩。

闪存性能测试中，写入速度达到了1718MB/s，UFS3.1的顶级水准。

更侧重GPU理论性能的3DMark，在WildLife测试项目中，真我GT2大师探索版总分10359，其中平均帧率为62FPS，天花板水平了。

GeekBench5跑分方面，真我GT2大师探索版单核为1345分，多核4059，相较于骁龙8，骁龙8+的单核、多核分数都有不同程度的增加。

（不同机型性能调教不同，上述跑分仅供参考）