散热方面，Redmi K50 Pro搭载了总面积为3950mm²的超大VC液冷，同时还配备7层石墨散热，这次的采用了新一代超薄不锈钢VC液冷均热板，面积更大，高效散热，还有内置的7层石墨，铜箔和凝胶等多种导热材料，散热效果真的很出色，实际散热体验怎么样呢？

在发热方面，Redmi设定的表面温度线可能就是48度。27.5度室温，200nit屏幕亮度，湿度77%，Redmi K50 Pro在30分钟3DMarkWildLife压力测试，稳定性65.1%，最高温在正面，48度。表现明显好于骁龙8 Gen 1机型，毕竟这种环境下，很多骁龙8 Gen 1根本没法坚持完测试。

而如果是20分钟《和平精英》HDR高清+极限帧数+抗锯齿，27.5度室温+200nit亮度，Redmi K50 Pro最高温40度，同样出现在正面。2年前的大型游戏，在这一代的GPU面前，根本就是毛毛雨。

在GPUGFLOPS中，Redmi K50 Pro强制2K120Hz+飞行模式+最低亮度的静止功耗在0.78W左右（下面所有GPUGFLOPS截图都在该设定），1080P 60Hz模式静止功耗在0.57W左右。

上面分别是超大核、大核、小核锁单线程的结果，貌似GPUGFLOPS根本锁不住它（性能模式下，软件功耗测试，结果仅供参考）

上面分别是CPUMIX2单烤、GPUMADD+ADD单烤、GPUMADD单烤结果。室温27之下，无论是否性能模式，GPU火力全开都只能坚持3、4分钟。

在AndSPEC测试中，效果如图，功耗单位错乱，但不影响结果。感兴趣的用户可以参考一下。

量产版的天玑9000，发热情况远远好于骁龙8 Gen 1和骁龙888，但能效比没有工程机那么强。即便是台积电4nm，也顶不住6ML3+4MSLC“PC级缓存”的火力全开。这里也有一部分要怪新的armv9指令集和拉胯的X2架构。

在频率和温度监控时，也能发现在GPU GFLOPS等烤机工具中，其核心温度涨得很快。让人不禁想起使用台积电7nm工艺的AMD。过于先进的制程，过小的Die尺寸，积热问题让风冷水冷众生平等。

类似缓存等电路结构的巨大发热，PC主动散热才能压住。当移动SoC有接近规模时，要手机的小铜箔、小VC均热板来压，确实不太现实。手机这种移动产品，完全不适合高功率的SoC，即便性能比现在强几倍都是枉然，骁龙8 Gen 1和天玑8100就是最好的相反例子。